汽相外延
growing gan film by hydride vapor phase epitaxy with low temperature aln interlayer
采用低温AlN插入层在氢化物气相外延中生长GaN膜
来源:互联网摘选High quality GaN film was grown by hydride vapor phase epitaxy ( HVPE ) using porous AAO as mask.
采用均匀的多孔阳极氧化铝做掩膜在氢化物气相外延设备中生长出高质量的氮化镓膜.
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